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PBSS2515E中文资料

PBSS2515E图片

PBSS2515E外观图

  • 大小:120.89KB
  • 厂家:nxp
  • 描述:15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:0.9mm
  • 封装类型:SMPAK
  • 尺寸:0.85 x 1.8 x 0.9mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:250 mW
  • 最大发射极-基极电压:6 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V
  • 最大直流集电极电流:0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压:15 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.25 V
  • 最大集电极-基极电压:15 V
  • 最小直流电流增益:90 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极小信号
  • 配置:单
  • 长度:1.8mm
  • 高度:0.85mm

PBSS2515E供应商

更新时间:2023-01-04 08:02:50
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